濺射功率對Ca2Si薄膜性質的影響

全部作者： 任雪勇 謝泉 楊吟野 肖清泉 楊創(chuàng)華 曾武賢 梁艷 第1作者單位： 貴州大學 電子科學與信息技術學院 論文摘要： 采用射頻磁控濺射技術在Si（100）襯底上沉積了Si-Ca-Si薄膜，并在高真空條件下對樣品進行退火處理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同濺射功率對薄膜的晶體結構、表面（斷面）形貌的影響，并對其光學性質進行了測試分析。結果表明：Ca2Si薄膜為立方結構且具有沿(111)向擇優(yōu)生長的特性，當濺射功率為120W時，Ca2Si薄膜變的均勻、致密，在 4000Å -8000 Å波長范圍內，濺射功率對折射率n和吸收系數k的影響較小。 關鍵詞： 射頻磁控濺射，Ca2Si薄膜，濺射功率 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年07月12日 同行評議：

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